2A

Khả năng phát bức xạ kích thích giữa các mức Landau trong giếng lượng tử GaAs/AlGaAs

Tác giả:
Nguyễn Thành Công, Đoàn Thế Ngô Vinh
Lượt xem:
0
Số trong tạp chí:
0/0
Trong bài báo này chúng tôi chỉ ra sự nghịch đảo mật độ cư trú giữa các mức Landau trong giếng lượng tử có thể đạt được bởi sự khác biệt đáng kể giữa tốc độ tán xạ electron-electron giữa các vùng con và bên trong một vùng con. Cơ chế này cho phép phát bức xạ kích thích mà tần số của bức xạ đó có thể điều chỉnh được một cách liên tục trong phạm vi rộng của miền tần số THz (miền hồng ngoại) bởi thay đổi cường độ từ trường.
Tin liên quan

Tạp chí khoa học Trường Đại học Vinh

Vinh University journal of science (VUJS)

ISSN: 1859 - 2228

Cơ quan chủ quản: Trường Đại học Vinh

  • Địa chỉ: 182 Lê Duẩn - Thành Phố Vinh - tỉnh Nghệ An
  • Điện thoại: (0238)3855.452 - Fax: (0238)3855.269
  • Email: vinhuni@vinhuni.edu.vn
  • Website: https://vinhuni.edu.vn

 

Giấy phép xuất bản tạp chí: 163/GP-BTTTT do Bộ Thông tin và Truyền thông cấp ngày 10/5/2023

Giấy phép truy cập mở: Creative Commons CC BY NC 4.0

 

LIÊN HỆ

Tổng biên tập: PGS.TS. Trần Bá Tiến 
Email: tientb@vinhuni.edu.vn

Phó Tổng biên tập: TS. Phan Văn Tiến
Email: vantienkxd@vinhuni.edu.vn

Thư ký tòa soạn: TS. Đỗ Mai Trang
Email: domaitrang@vinhuni.edu.vn

Ban thư ký và trị sự: ThS. Lê Tuấn Dũng, ThS. Phan Thế Hoa, ThS. Phạm Thị Quỳnh Nga, ThS. Trần Thị Thái

  • Địa chỉ Toà soạn: Tầng 4, Tòa nhà Điều hành, Số 182 Lê Duẩn, TP. Vinh, Nghệ An, Việt Nam
  • Điện thoại: (0238)3.856.700 | Hotline: 0973.856.700
  • Email: editors@vujs.vn
  • Website: https://vujs.vn

img